1.氮化物宽禁带半导体材料与器件

面向公共安全、保密通讯和GF安全领域重大战略需求，开展氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)及多元宽禁带半导体材料的MOCVD外延关键技术、深紫外发光二极管（DUV-LED）和高电子迁移率晶体管（HEMT）设计制备和核心装备的开发研究。实现全固态紫外光源、光伏逆变器、雷达射频模组等应用场景核心器件的国产化替代

氮化物超宽禁带半导体材料雷达特性图及应用场景举例

2. 氧化物超宽禁带半导体材料与器件

研究超宽禁带半导体氧化镓材料的高质量外延、晶相调控和掺杂技术，实现晶圆级氧化镓外延薄膜的批量制备与宽范围载流子浓度调控。

氧化镓材料在高耐压、低导通电阻功率器件中的应用优势—晶圆级氧化镓衬底及其外延薄膜

3.高耐压宽禁带功率器件

研究氧化镓功率电子器件的设计与制备技术，研究兼顾高性能整流、耐压和导热的同异质界面构建方案，实现下一代高功率器件与芯片的性能跨越与示范应用。

功率电子器件的应用场景—高耐压氧化镓肖特基势垒二极管的电学特性

4.通信及探测用光电子器件

研究基于超宽禁带半导体的高性能日盲紫外探测器与成像技术，解决日盲紫外波段弱光探测、快速响应和高信噪比的关键问题，推动实现日盲紫外探测器与成像技术的小型化、低功耗和面向极端环境的系统集成应用。

氧化镓日盲紫外光电探测器阵列—基于日盲紫外探测的通信应用展示