宁波材料所在超宽禁带半导体材料与器件研究方面取得进展
以氧化镓(Ga2O3)和金刚石(Diamond)为代表的超宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、巴利加优值高、抗辐射能力强等优异性能,可以更好地满足功率电子器件在高功率、高温、高频以及高辐射等极端工况的使用需求,应用前景广阔。
2025-01-22
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科研进展
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